CXMT의 4F² D램 구조와 출시 계획 발표
작성자의 핵심 판단
작성자는 4F2가 당장 대량 생산의 의미를 갖지는 않지만, CXMT의 생산량과 수율이 개선되면 메모리 가격과 높은 이익률에 영향을 줄 수 있다고 우려한다.
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셀 크기와 수율에는 여전히 격차가 존재한다 . 하지만 4F2를 사용하지 않아도 중국 메모리 자체는 쓸 만한 수준이며, 물량이 많이 나오면 가격에 영향을 줄 수밖에 없다 . 메모리 기업들의 이익률과 주가는 여전히 높은 수준이다 . 하이닉스 주가는 지난 사이클 저점 대비 거의 20배 가까이 상승했다 . 중국 기업의 대규모 생산 능력(CAPA) 증설이 현재 높은 이익률과 가격에 어떤 영향을 미칠지가 중요하다 . 원래는 내년까지 괜찮을 것으로 예상했지만, 문제가 더 일찍 발생할 수도 있어 지켜보며 대응해야 한다 . 메모리 시장 상황이 매주 빠르게 변하고 있어, 최신 정보로 업데이트하고 가격 추이를 면밀히 살펴야 한다 . 외국인 수급이 시장 변화를 빠르게 반영하는 경향이 있다 . 2. 중국 메모리 반도체 기업 CXMT의 4F2 기술과 시장 영향 중국 메모리 반도체 기업 CXMT가 EUV 장비 없이도 셀 크기를 줄이는 4F2 기술을 도입하며 한국 기업과의 기술 격차를 좁히고 있으며, 이는 향후 메모리 시장의 가격 경쟁에 큰 영향을 미칠 수 있다.
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따라서 CXMT는 구조를 바꿔서라도 셀 크기를 줄이려는 시도를 하고 있다 . 4F2 기술은 폄하할 기술이 아니다 . 이론적으로 셀 크기가 3분의 1로 줄어야 하지만, 실제로는 약 20~25% 정도 감소하는 효과가 있다 . 이는 공정 기술이 뒤처지더라도 한 세대 반 정도의 미세화 효과를 가져온다 . 하지만 현재는 수율이 더 떨어지고 대량 생산이 어려워 주식 관점에서는 의미가 없는 상황이다 . CXMT가 4F2 기술로 EUV를 우회하고 SMIC가 멀티패터닝으로 성공한다면, 향후 더 큰 문제가 될 수 있다 . YMTC가 하이브리드 본딩을 빨리 도입하여 앞서간 것처럼, 중국은 노광 장비를 사용하지 않는 부분에서 기술적 진전을 보이고 있다 . 3D DRAM은 EUV의 중요성을 감소시킬 수 있어 중국이 집중적으로 개발하고 있다 . 중국은 3D DRAM 관련 논문과 특허를 선제적으로 확보하고 있으며, 막대한 인력을 투입하고 있다 . 3D DRAM이 현실화될 경우 더 큰 문제가 될 수 있지만, 이는 2030년 이후의 문제로 예상된다 . 현재 반도체 기술 격차는 노광 장비 덕분에 유지되고 있는 상황이다 .
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2.2. 중국 반도체 기술의 현재 상황 및 잠재적 리스크 중국 노광 장비 관련 이슈는 반도체 섹터에 민감하게 반응한다 . 중국이 DUV에서 가장 미세화된 공정을 개발했다는 뉴스가 있었지만, 아직 상용화되지는 않았다 . 테스트 중인 것으로 보이며, 상용화될 경우 DUV 공정을 제외한 나머지 부분은 이미 과잉 공급 상태가 될 수 있다 . 현재는 45nm 이하급 DUV 정도만 가능한 것으로 보인다 . 중국 반도체 기술은 DUV 문제로 어려움을 겪고 있으며, EUV 우회가 가능해진다면 문제가 될 수 있지만 당장은 아니다 . 4F2 공정이 한국의 UF2보다 크다고 무시하는 경향이 있지만, 이는 주가에 크게 중요하지 않다 . DDR5와 서버용 메모리는 성능과 안정성을 갖추고 있어, 남은 과제는 **생산량(Q)**이다 . CXMT는 스팟 판매 위주로 매출이 발생하며, 한국 기업과는 사업 모델이 다르다 . CXMT의 생산량(Q) 성장과 수율 향상이 핵심 포인트이다 . CXMT 4세대(16nm급) DDR5의 수율은 90%까지 올라왔지만, 5세대(14nm급)는 여전히 30% 이하로 매우 낮다 .
이 자료에서 다룬 사실
CXMT가 D램 셀 면적을 줄이는 4F2 기술을 발표했고, 원문은 16nm급 DDR5 수율은 90%까지 올라온 반면 14nm급은 30% 이하로 제시한다.
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2.1. CXMT의 4F2 기술 도입 배경 및 특징 CXMT가 4F2 기술을 발표하면서 논란이 되었다 . 4F2 기술은 D램이 메모리를 기억하는 구조를 변경하여 셀 하나의 면적을 줄이는 기술이다 . 동일한 공정을 사용하더라도 메모리 기억 부분의 구조를 바꿔 크기를 줄일 수 있다 . 삼성전자와 하이닉스는 4F2 기술을 우선순위에 두지 않았다 . 구조 전환에 드는 비용과 수율 악화보다 미세 공정을 통한 셀 크기 축소가 더 경쟁력 있다고 판단했기 때문이다 . 미세 공정은 전체적으로 쉽고 비용이 적게 들며 수율도 유지할 수 있다 . 중국은 노광 장비 확보에 어려움을 겪고 있어 4F2 기술 개발에 집중할 수밖에 없다 . CXMT는 14nm급까지 낮은 수율로 생산을 시작했으며, 16nm급에서는 수율을 거의 확보한 것으로 보인다 . 그 이하 미세 공정에서는 EUV 장비 없이는 수율 확보가 어렵다 . EUV 없이 DUV를 이용한 멀티패터닝으로도 가능하지만, 10nm 이하에서는 수율이 잘 오르지 않는 한계가 있다 . CXMT의 5세대(14nm급)부터는 노광 장비 문제로 수율이 매우 낮게 나오고 있다 .
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2.2. 중국 반도체 기술의 현재 상황 및 잠재적 리스크 중국 노광 장비 관련 이슈는 반도체 섹터에 민감하게 반응한다 . 중국이 DUV에서 가장 미세화된 공정을 개발했다는 뉴스가 있었지만, 아직 상용화되지는 않았다 . 테스트 중인 것으로 보이며, 상용화될 경우 DUV 공정을 제외한 나머지 부분은 이미 과잉 공급 상태가 될 수 있다 . 현재는 45nm 이하급 DUV 정도만 가능한 것으로 보인다 . 중국 반도체 기술은 DUV 문제로 어려움을 겪고 있으며, EUV 우회가 가능해진다면 문제가 될 수 있지만 당장은 아니다 . 4F2 공정이 한국의 UF2보다 크다고 무시하는 경향이 있지만, 이는 주가에 크게 중요하지 않다 . DDR5와 서버용 메모리는 성능과 안정성을 갖추고 있어, 남은 과제는 **생산량(Q)**이다 . CXMT는 스팟 판매 위주로 매출이 발생하며, 한국 기업과는 사업 모델이 다르다 . CXMT의 생산량(Q) 성장과 수율 향상이 핵심 포인트이다 . CXMT 4세대(16nm급) DDR5의 수율은 90%까지 올라왔지만, 5세대(14nm급)는 여전히 30% 이하로 매우 낮다 .
그렇게 판단한 이유
EUV 확보가 어려운 중국이 구조 변경으로 셀 크기를 줄이고, CAPEX와 생산량이 늘면 현재의 기술 격차만으로 물량 영향을 막기 어렵다는 연결이다.
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2.1. CXMT의 4F2 기술 도입 배경 및 특징 CXMT가 4F2 기술을 발표하면서 논란이 되었다 . 4F2 기술은 D램이 메모리를 기억하는 구조를 변경하여 셀 하나의 면적을 줄이는 기술이다 . 동일한 공정을 사용하더라도 메모리 기억 부분의 구조를 바꿔 크기를 줄일 수 있다 . 삼성전자와 하이닉스는 4F2 기술을 우선순위에 두지 않았다 . 구조 전환에 드는 비용과 수율 악화보다 미세 공정을 통한 셀 크기 축소가 더 경쟁력 있다고 판단했기 때문이다 . 미세 공정은 전체적으로 쉽고 비용이 적게 들며 수율도 유지할 수 있다 . 중국은 노광 장비 확보에 어려움을 겪고 있어 4F2 기술 개발에 집중할 수밖에 없다 . CXMT는 14nm급까지 낮은 수율로 생산을 시작했으며, 16nm급에서는 수율을 거의 확보한 것으로 보인다 . 그 이하 미세 공정에서는 EUV 장비 없이는 수율 확보가 어렵다 . EUV 없이 DUV를 이용한 멀티패터닝으로도 가능하지만, 10nm 이하에서는 수율이 잘 오르지 않는 한계가 있다 . CXMT의 5세대(14nm급)부터는 노광 장비 문제로 수율이 매우 낮게 나오고 있다 .
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**CAPEX(자본적 지출)**는 내년까지 크게 늘어나지 못할 것으로 예상되었으나, DUV 장비 수요가 많아 YMTC, CXMT, SMIC 모두 CAPEX를 몇 배씩 늘리고 있다 . 향후 2~3년간은 이미 확보된 장비가 많아 CAPEX 증설이 가능할 것으로 보인다 . 제재로 인한 장비 수리 및 서비스 불가 문제도 '어둠의 경로'를 통해 해결되는 것으로 보인다 . 중국의 반도체 수요는 매우 크며, 메모리 기준으로 하이닉스 전체 CAPA만큼 사용된다 . 이 수요가 자국산으로 이동하면 중국으로 수출하는 물량이 줄어들고, 결국 중국 이외 시장의 물량에 영향을 미칠 수 있다 . 현재 높은 가격 상황에서는 영향이 적지만, 앞으로의 흐름을 주시해야 한다 . 4분기까지는 메모리 가격이 유지될 것으로 보이지만, 2027년, 2028년 상황은 불확실하다 . 4F2 공정의 G4 또는 G5 도입 여부는 아직 확인되지 않았지만, 수율이 개선되는 과정에 있어 허세 기술은 아니다 . 올해 말부터 생산이 시작될 것으로 예상된다 . 현재 높은 메모리 가격이 낮은 수율에도 불구하고 공장 가동을 뒷받침하고 있다 .
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CXMT가 4F2를 서두른 이유는 EUV 확보의 어려움 때문이다 . SMIC가 7nm부터 EUV 문제로 기술 개발이 늦어진 것처럼, CXMT도 5세대부터 유사한 문제에 직면했다 . 웨이퍼 공정을 통한 셀 사이즈 감소가 어렵기 때문에, 설계적인 측면에서 돌파구를 찾으려는 시도이다 . 4F2 기술은 수율이 생각보다 낮지 않으면서 셀 크기를 약 25% 감소시킬 수 있다 . EUV 장비를 보유한 국내 기업들은 굳이 4F2 기술에 도전할 필요가 없다 . 3. 메모리 시장의 주요 리스크와 향후 전망 중국 CXMT의 공격적인 CAPA 증설과 DDR5 양산은 내년부터 메모리 시장에 실질적인 리스크로 작용할 수 있으며, 이에 따라 보수적인 투자 전략이 필요하다. 3.1. 중국의 CAPA 증설과 시장 영향 가장 큰 리스크는 CAPA(생산 능력) 증설이다 . CXMT의 CAPA는 올해 대비 약 10~20% 증가했다 . 월간 생산량이 10K씩 늘어나 연간 약 120K가 증가하는 예상보다 빠른 속도로 증설되고 있다 . 이 속도라면 2028년에는 거의 600K에 육박할 것으로 예상된다 .