CXMT의 4F²은 무엇인가 위협이 되나 - 인포마켓 강용운 대표

굉장히 어렵습니다. 일단 요거를 좀 설명을 들으시면 대충 이제이 CXMT 이야기가 선언적인 건지 실체를 가지고 있는 건지 판단을 내리실 수 있겠죠. 우리가 이제 연산에 한 단위를 셀이라고 하잖아요.이 디램의 셀은요T완시라고 외우시면 됩니다. 트랜지스터 하나에다가 커패시티 하나로 되어 있거든요. 어 실제 기록은 이제 커패시티에서 이렇게 저장을 하는 거고요. 그다음에 이제 저장하는 거를 돕는 보조의 역할을 트랜지스터에서 하는 거죠. S램은 어떻게 되느냐? 트랜지스터가 여섯 개가 필요하거든요. 그게 디램은 구조가 S램보다는 굉장히 간단합니다. 간단하니까 면적을 작게 차지하니까 이게 주종으로 쓰인 거죠. 기록 매체예요. 이게 그니까 썼다 지웠다를 반복해야 되는 단점이 있습니다만 어쨌든 어 1T1c 구조로 돼서 굉장히 간단하다고요. 이게 커페시터는 디램이 트랜지스터 있잖아요. 거기에 딱 굴뚝 올려져 있습니다. 이렇게 굴뚝 모양이 항상 있어 가지고 그게 좀 만들기가 어렵지 구조는 간단하다 이렇게 아시면 되고요. 이제 저장을 하기 위해서는 몇 가지 이제 장체가 필요한데 예 트랜지스터는 여러분 사과 모양처럼 돼 있는 게이트가 있지 않습니까? 항상요 보시면은 뭐 SK 하이닉스나 삼성전자 홈페이지 들어가 보시면 소스 드레인 게이트 항상 그 딱 나와 있잖아요.

이삭 모양으로 돼 있는게 게이트인데이 전지가 이제 표면으로 흐를 때 요거를 닫았다 열었다 할 수 있는 일종의 수도꼭지죠. 게이트. 워드라인은 뭐냐면이 게이트를 간통하는 이쪽에 선입니다. 선. 그래서 문을 열어라고 명령을 내리는 거죠. 많은 게이트를 동시에 지나가죠. 그래서 라인이라고 이름 붙인 건데이 워드 라인이라고 합니다. 그다음에 이제 비트라인은 뭐냐면 데이터를 저장해라. 이렇게 명령을 내리는 거죠. 그래서 워드라인하고 비트라인이 서로 협력을 해 가지고 트랜지스터와 여기 붙어 있는 커패스터요 두 가지를 이용해서 기록을 저장하는게 디램 구조죠.에 그런데 예전에는 이제 이게 선폭이라고 있거든요. F. F는 이제 피처 라인이라고 하는 건데 지금 뭐 선폭이 뭐 10나니 11나이 12나니 하지 않습니까? 여기 보시면은이 가로로 빨간색으로 돼 있는게 워드 라인이고요. 세로로 돼 있는게 비트 라인입니다. 이게 위에서 내려봤으니까 교차해서 만나는 것처럼 돼 있지만 실제로 교차하지는 않아요. 요거를 보시면요 모눈 칸이 여기 하나 둘 셋네 개가 돼 있고 위로 두 개가 돼 있으니까 총 여덟 개잖아요. 그래서 8f제곱이라고 하는 겁니다. 여기는 왜 비워져 있냐? 요거만 있냐? 그거는 정밀도의 한계 때문에 좀 간격을 둬야 되는 거죠. 요거하고 요거하고 간격을 둬야 되고 빨간 것과 빨간 거의 간격을 둬야 되는 거예요.

그래서 워드라인하고 비트라인 구성을 해서 요게 딱 하나의 디램의 셀을 구성한다 이겁니다. 간단하게 그려 놓은 거니까 추상화된 그림이라고 보시면 되겠죠. 요거를 작게 만드는게 이때까지 업체의 꿈이었잖아요. 작아야 전력도 더 소모시키고 성능이 고성능화 되는 거니까 항상 반도체는 작게 만드는게 꿈이었죠. 그런데 작게 만들려면 선을 줄이면 되잖아요. 피처 라인을 줄이면 되는 건데. 그러니까 워드 라인도 얇게 하고 비트라인도 얇게 하면 자동적으로 작게 되겠죠. 그런 방향이 하나가 있고요.이 모는 칸을 적게 줄이자는 거죠. 그래서 2007년 이후에는 이게 됐습니다. 6F제곱 요렇게 돼서 가로 세 칸이고 보이지는 않으시겠지만 요게 몸으로 된 칠판이거든요. 그래서 세로로 두 칸이어서 여섯 칸이 되는 겁니다. 요것보다 요게 좀 줄었죠. 그러니까 방법은 두 가지예요. 그러니까 방 사이즈를 줄이는게 8f제곱에서 6F제곱으로 가는 거고요. 방 사이즈를 줄임과 동시에 야, 너 다이어트해. 좀 가혹하지만 살 빼. 이래 가지고 어떻게든 좀 방을 넓게 써 보겠다고 하는게에 라인을 줄이는 거죠. 라인 줄이는게 더 어렵다 이런게 직관문적으로 오시죠. 지금 CXMT 입장에서는 EUV 장비를 도입을 못 하니까 DUV 장비 가지고 지금 선을 만들지 않습니까? 선을 줄이는 거는 불가능하다 이거예요.

이게 방 사이즈를 줄이는데 연구를 많이 해 왔겠죠. 그래서 이번에 자신있게 이야기를 하는 건데요. 4f제곱은 뭐냐면 더 작게 만든 거라고요. 여기는 그래도 보시면 어 좀 간격이 좀 있잖아요. 근데 요렇게 바짝 붙여 버리면 정말 수막힐 정도로 간격이 없지 않습니까? 요렇게 하기 위해서는 어떻게 해야 되느냐? 할 수 없습니다. 방 사이즈는 정해져 있으니까 다락방을 만들어야죠. 세간사리가 다 못 들어가잖아요. 그래서 2층방으로 만들어 버리는 거라고요. 입체하로 가는 전단계다. 나중에 3D 디램으로 가면은 입체가 굉장히 아파트처럼 다다닥 쌓아 올려졌는데 그 정도는 아니지만 그래도 2층방을 만들어서 세간사리를 줄이겠다. 이런 이야기입니다. 기술로는 선폭을 줄일 수가 없으니까. 선이 위치한이 공간 공간을 줄인게 4F제곱이라고요. 삼성전자도 지금 하고 있는데 뭐가 문제냐? 이게 특허는 2, 30년 됐는데 왜 이거를 안 하냐? 어렵거든요. 뭐가 어렵냐? 개념은 어려운게 아니고요. 실제 공정에서 좀 여러 가지 난점이 발생한다고 합니다. 아, 여기 보시면은 이게 이제 6F에서 있을 법한 어, 그거거든요. 여기가 아까 말씀드렸던 게이터고요. 여기가 커패시트고 여기가 비트 라인입니다. 그리고 W이라고 적어 놓은 거는 워드 라인인데요 게이트 위를 그려 놓았지만 실제요 위를 간통해서 지나가거든요.이 게이트를.

그러니까 비트라인하고 워드 라인이 딱 이렇게 돼 있죠. 그래서 이렇게 신호는 가서 여기 저장되는 그런 형태로 되고요. 요건 채널이라고 제가 적어 놓았는데 채널이라고 할 때는 신호의 어떤 전송의 의미를 부여하는 거고 실제로는 뭐 트랜지스터 이렇게 생각하시면 되겠죠. 채널 트랜지스터 이렇게 생각하시면 되고 이게 6F제곱이면 4F²곱으로 가려면 어떻게 해야 되냐? 줄여야 되잖아요. 간격을 어떻게 했냐? 여기 보시면 요거하고 컨택 포인트가 두 군데가 있거든요. 여기 보시면 비트라인하고요.요 채널이하고 컨택하는게 있고 커페터 위에 컨택하는 포인트가 두 군데가 있습니다. 접점은 항상 두 군데가 있거든요. 그럼 어떻게 해야 되냐? 요로 옮기는데 접점을 유지하려면 요거를 이렇게 눕혀 가지고 어 매립했다고 해요. 비트 라인을. 그래서 여기 접점이 하나 만들어지죠. 그다음에 요거를 올립니다. 채널 위로. 그래서 접점이 또 하나 만들어지거든요. 채널은 넓덕하게 누워 있던 거를 바짝 세우는 거죠. 그러면이 공간이 학 주잖아요. 넓어졌던 게. 학 주니까 4F²곱이 가능한 거죠. 그리고이 커패터도요 위에 올려 버렸지 않습니까? 그러니까 보시면은 2층으로 올려 버린 거죠. 그리고이 비트 라인은 아예 장판으로 깔아 버린 거고요. 그렇게 해서 어 워드 라인은 어떻게 되면 옆으로 지나가는 거거든요.이 문제는요 접점이 생긴다는 거죠.

그리고 제가 설명을 안 드렸지만 어 요거는요. 원래이 디램 할 때 세일 트랜지스터가 있고요. 패리 트랜지스터라는게 있습니다. 두 개가 하나로 돼 가지고 사실은 디램에 동작을 하는 건데 요거는 셀 트랜지스터만 제가 그려 놓은 거거든요. 패리 트랜지스터는 뭐냐면 셀 트랜지스터를 보자하는 역할을 합니다. 주변에 있는 거죠. 근데 그거를 지금 4F 제곱을 하면 놓을 자리가 없으니까 아예 별도로 만들어서 하이브리드 본딩을 해야 됩니다. 그래서 여기 보시면 HB 본딩이라고 적어 놓았죠.요 흰 부분이 페리 트랜지스터예요. 그리고요 위에 부분 다 셀 트랜지스터거든요. 요걸 이대로 그대로 가져온 거죠. 그래서 하이브리드 본딩이 한 번 들어가고 이거 1번 그다음에요 접점 2번요 접점 3번이 들어가기 때문에 물론 2번하고 3번은 전공정에서 하는 공정이어서 본딩하고는 관계가 없는데 1번은 본딩하고 관계가 있잖아요. 다 만든 다음에 웨이퍼대 웨이퍼로 붙여 버립니다. 이게 이제 W2W 하이브리드 본딩이 되겠죠. 그래서 하이브리드 본딩하고 2번, 3번에 공정이 들어가기 때문에 여러 가지 문제가 발생을 합니다. 뭐 하이브리드 본딩은 잘 아시다시피 디싱 문제라고 해서 리세션이라고 하죠. 약간 운푹 들어간 그거를 어떻게 잘 파느냐 굉장히 많죠.

그 개수가 뭐 H뱀 같은 경우는 웨이프 한 장 전체로 1천만 개내 되는데 여기는 몇 개인지는 모르겠지만 잘 파야 되거든요. 이렇게 요렇게 해서 잘 이렇게 본딩을 해야 됩니다. 그 어려움이 있고요. 2번 3분은 응력 이런 것들이 굉장히 미세하게 작용을 하죠. 그리고 수직으로 세웠지 않습니까? 수직으로 세우면은 이제 이게 웨이퍼 공정을 하다가 보면 어 여러 가지 이제 항물질이 희발되면서 마을 때 여러 가지 이제 힘이 발생하거든요. 응력이라든가 그러면요 기둥이 넘어질 수도 있잖아요. 그래서 굉장히 예민해진다고요. 공증 자체가 삼성이 2028년 2029년 뭐 이걸 하겠다고 이야기한 것도 그동안에 이런 문제를 계속 들여다 보면서 고민을 해 왔기 때문이죠. 됐으면 벗어했겠죠. 그래서 이런 문제가 있기 때문에 실제로 양산이 될지 안 될지는 모르는 거거든요. CXMT가 이야기하는 거는 일종에 우리가 이걸 기술을 확보를 했다라는 선언적인 의미의 다름 아니다. 이렇게 보시면 됩니다. 어 그래서 이게 시장이 위협이 되느냐 저는 별로 되지 않을 것 같고 어 더더군자나 선폭을 줄이지 못하는 상황에서 입체적으로 만들었을 때 단가만 더 올리지 않을까 이런 생각을 합니다. 제가 리포트를 드렸는데 그거 다 읽어 보시면 되고요.

아까 말씀드린요 한 칸. 여기 보시면은 수직으로 이렇게 되어 있죠. 그다음 돼 있고 요게 워드라인이고 이게 비트라인이라고 말씀드렸는데 요렇게 된게 요거지 않습니까? 딱 여기까지 딱 여기까지. 요게 이제 2f고 세로가 2f니까 곱해서 4f제곱이잖아요. 그래서 여기 비어져 있지 않습니까? 딱 여기까지가 2f고요. 또 요렇게 옆으로에서도 2f 돼 가지고 딱 그렇게 그려 놓았죠. 2f, 2F, 4F² 이렇게 됐습니다. 요렇게 설명을 드려야 아, 이게 보통 난도가 아니구나 이해를 하셔서 결국에는 비용 문제, 수 문제로 하는 겁니다. 결국 안묵지가 작용을 해서 누가 더 많은 생산 경험을 하느냐, 누가 최첨단 장비를 잘 이해하고 또 그거를 실제로 운용하는 인력들이 노하우로 쌓느냐 그 싸움이거든요. 단시일에 될 수 있는 문제가 아닌데 요런 거를 잘 모르니까 야, 새로운게 뭔가 개발되었나 보다. 뭐 새로운 공식이 개발되었나 보다. 야, 큰일났다. 이렇게 생각하시면 안 된다.이 차원에서 강력하게 좀 오늘은 설명을 드렸습니다. 충분히 이해하셨으라고 믿고 업무이 되는 거는 제가 무료로 리포트를 텔레그램으로 올려 드렸으니까 그거 보셔 가지고 참조하시면 되겠습니다. 네. 감사합니다.